Influence de la teneur en silicium sur la solubilite et la diffusion de l'hydrogene (deuterium) dans les alliages pd#1#0#0##xsi#x amorphes
Auteur / Autrice : | AMAR BEN TAYEB |
Direction : | Richard Portier |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1990 |
Etablissement(s) : | Paris 6 |
Résumé
L'hydrogene (ou le deuterium) a ete utilise comme sonde afin d'observer la structure atomique des alliages pd-si amorphes. Dans ce but, la solubilite du gaz ainsi que sa diffusion ont ete examinees pour des concentrations de silicium variant entre 14 et 22 at%. Un alliage cristallin de structure c. F. C. Contenant 4 at% si (pd#9#6si#4) a ete aussi etudie. Auparavant, la structure electronique des alliages non hydrogenes a ete exploree par des mesures de resistivite electrique a basses temperatures et par spectroscopie de photoelectrons x (x. P. S. ). Le chargement des echantillons a ete effectue sous pression de gaz (jusqu'a 15 mpa) et pour des temperatures comprises entre 20 et 200c pour les alliages amorphes et 200 a 500c pour l'alliage cristallin pd#9#6si#4. Deux techniques ont ete utilisees pour suivre l'absorption (ou la desorption): thermogravimetrie et mesures de la resistivite electrique. La solubilite a l'equilibre, l'enthalpie de dissolution, la deviation par rapport a la loi de sieverts, le coefficient de diffusion et l'energie d'activation correspondante ont ete determinees en fonction de la temperature, de la concentration d'hydrogene et particulierement de la teneur en silicium. Tous les resultats tendent a montrer la grande influence, principalement de la distribution des sites mais aussi de la structure electronique des alliages