Electrocristallisation de metaux sur n-gaas et n-inp

Metal electrocristallization on n-gaas and n-inp

• Auteur / Autrice : LUC ALLEMAND
• Direction : Hubert Cachet
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées. Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

On etudie les mecanismes de formation par electrocristallisation de depots metalliques sur semi-conducteur (s. C. ). L'utilisation de differents materiaux (n-gaas, n-inp) a permis d'evaluer l'influence des proprietes chimiques et electroniques du substrat sur la nucleation et la croissance des films metalliques. La mesure de la capacite interfaciale montre que le depot ne demarre que si les bandes du semi-conducteur sont suffisamment decourbees pour permettre l'arrivee des electrons en surface et qu'il existe simultanement au depot un deplacement des bandes sur n-gaas et pas sur n-inp. Ceci suggere que le transfert electronique s'effectue via des etats de surface existants sur n-gaas comme sur n-inp, mais situes a des positions energetiques differentes dans la bande interdite. La morphologie des depots deduite de l'analyse du courant transitoire et de l'observation par microscopie electronique depend de la reaction electrochimique et du substrat: un controle cinetique diffusionnel (ag, cu) provoque la formation de gros cristallites peu influences par le substrat; dans le cas d'une reaction electrochimique lente (ni), la structure du depot depend des phenomenes de surface. On propose les diagrammes des niveaux d'energie a l'interface metal/s. C. Au debut et en cours de depot. L'obtention de morphologies variees des depots par simple ajustement des conditions d'electrolyse ouvre des perspectives d'applications: l'optimisation des jonctions metal/s. C. , la modification des photoelectrodes dont les proprietes electriques et electrochimiques dependent de l'interface