Microstructure des couches de gaas epitaxiees sur si par movpe

On the microstructure of movpe gaas on si

• Auteur / Autrice : Cyril Vannuffel
• Direction : Richard Portier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés contrôlés

Dépôt en phase vapeur par organométalliques

Résumé

L'epitaxie de gaas sur si est potentiellement interessante dans la mesure ou elle doit permettre d'integrer des dispositifs optoelectroniques, tels que des diodes electroluminescentes ou des lasers, sur silicium. La croissance est effectuee en deux etapes, a 450#oc puis a 650#oc. Au cours de la premiere nous observons une dissymetrie de repartition des defauts crees. Ceci est relie a la relation existant entre l'orientation du gaas et la desorientation de si par rapport a (001) vers |110|. La difference de parametre de maille de 4% existant entre gaas et si est rattrapee par un reseau de dislocations coins (couches epaisses de 4 m), ce reseau contient aussi quelques dislocations a 60#o parfaites. La densite des dislocations au voisinage de la surface des meilleures couches obtenues est de l'ordre de 10#6 cm##2 bien que ce soit un bon resultat pour les plaquettes de gaas/si, cette valeur reste trop elevee pour une utilisation pratique