Caracterisation electronique d'interfaces profondes al/inp

Electronic characterization of al/inp deep interface

• Auteur / Autrice : HICHEM MAAREF
• Direction : Christiane Bonnelle
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

Les proprietes d'interfaces al/inp (hauteur de barriere, distribution d'etats d'interface et densite d'etats de valence du phosphore et de l'aluminium) preparees par differentes manieres (clivage sous ultra-vide ou a l'air, nettoyage chimique suivi ou non d'un bombardement ionique de faible energie et traitement thermique) ont ete etudiees en couplant des methodes electriques: caracteristiques i-v, c-v et spectroscopie de capacite schottky (scs) et une methode physico-chimique: spectroscopie d'emission x induite par electrons (exes). Les spectres d'exes montrent que de fortes perturbations de l'inp sont induites par les differentes methodes de preparation. Ces perturbations sont detectees dans la zone interfaciale analysee qui est de l'ordre de 100 a. Elles sont dues a differents phenomenes: existence de liaisons pendantes (clivage sous ultra-vide), inhomogeneites structurelles (clivage a l'air), amorphisation (nettoyage chimique), presence d'aip et/ou incorporation d'argon (bombardement ionique). Cependant, malgre ces modifications physico-chimiques de la zone interfaciale, la barriere de schottky reste confinee dans une gamme etroite de valeurs (0,35-0,5 ev). Ceci est attribue a la presence systematique d'un etat localise mis en evidence dans le gap par scs en e#c-0,37 ev