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des thèses françaises
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Etude de la croissance et des propriétés thermoélectriques du Bi2Te3, Sb2Te3 et de l'alliage BixSb2<xTe3 déposés par jet moléculaire
| Auteur / Autrice : | Yassine Azzouz |
| Direction : | André Boyer |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Composants, signaux et systèmes |
| Date : | Soutenance en 1990 |
| Etablissement(s) : | Montpellier 2 |
Résumé
Le choix des materiaux pour les applications thermoelectriques depend essentiellement de la valeur de leur coefficient de merite. Nous avons obtenu des valeurs optimales en utilisant les semiconducteurs v2v13: telluride de bismuth et le telluride d'antimoine deposes par la technique du jet moleculaire. Nous avons fait croitre des couches de bi2te3, sb2te3 et bixsb2-xte3 sur un substrat amorphe. Nous avons etudie la composition et les proprietes cristallographiques des couches en fonction du rapport des flux moleculaires et de la temperature de substrat. Nous avons montre egalement que les proprietes thermoelectriques: nombre de porteurs, mobilite et pouvoir thermoelectrique dependent de la temperature de substrat et de la concentration atomique. Des thermopiles de puissance et des capteurs de puissance hyperfrequence a effet seebeck ont ete realises a base de ces materiaux. Concernant leur parametre essentiel, le coefficient de seebeck du couple (bi2te3(n), sb2te3(p)) est huit fois plus grand que celui du couple usuel (cu, constantan)