Métrologie et étude du bruit de fond des transistors à effet de champ AsGa Mesfet et Modfet : bruits de la grille, du canal et corrélation

Gate noise, channel noise and correlation in gaas mesfet and modfet

• Auteur / Autrice : Pierre Vignaud
• Direction : Dominique Rigaud
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Mesures électroniques

Bruit radioélectrique

Bruit électronique

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

Transistors à effet de champ

Résumé

Les circuits electroniques actuels necessitent des composants de base de plus en plus performants tels les mesfet asga et les modfet algaas/gaas. Le bruit de fond basse frequence de ces transistors a ete etudie au niveau de la grille et du canal. Leur correlation a pu egalement etre mesuree. Son obtention ainsi que celle des differentes sources de bruit ont demande la mise au point de nouvelles techniques de mesure de bruit qui sont etudiees en detail. Les resultats experimentaux et leurs interpretations ont permis de definir des tests de qualite tant au niveau du canal que de la grille. La mesure de la correlation se revele etre un moyen d'investigation puissant pour caracteriser ce type de composants