Etude du mélange atomique dans des structures multicouches silicium-étain induit par irradiation ionique

Study of the ion beam induced atomic mixing in silicon-tin multilayered structures

• Auteur / Autrice : Georgios Christos Massouras
• Direction : Jean-Alain Roger
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences. Physique de la matière condensée. Composants électroniques et optiques
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Lyon 1
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Jean-Alain Roger

Mots clés

Mots clés contrôlés

Semiconducteurs amorphes

Bombardement ionique

Couches minces

Ions lourds

Résumé

Des faisceaux d'ions lourds energetiques ont ete utilises pour induire un melange atomique de films minces alternes de silicium et d'etain predeposes sur un substrat. Les techniques de caracterisation sont la spectroscopie de retrodiffusion de particules alpha, la microscopie electronique en transmission et a balayage, la spectroscopie mossbauer en electrons de conversion et les mesures electriques. Les principaux resultats sont: (i) l'irradiation ionique induit un melange des especes atomiques; (ii) la quantite d'atomes d'etain se trouvant en solution dans le reseau du silicium amorphe peut exceder jusqu'a deux ordres de grandeur la limite de solubilite de l'etain dans le silicium; (iii) dans tous les cas, une fraction des atomes d'etain se trouve sous forme de petits precipites de taille environ 6 nm; (iv) la matrice amorphe avec les precipites metalliques presente un comportement semiconducteur