Étude et réalisation du transistor à base perméable en technologie microélectronique silicium et évaluation en hyperfréquence

Permeable base transistor study and realization using a silicon microelectronic technology and hyperfrequency evaluation

• Auteur / Autrice : Pascal Letourneau
• Direction : Jean-Claude Pfister
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Microélectronique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Grenoble 1

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Transistor

Base

Permeable

Silicium

Compatible

Submicronique

Hyperfrequence

Tranchees

Résumé

Le transistor a base permeable (tbp) est un dispositif electronique dont la principale caracteristique est une base metallique enterree dans un substrat semi-conducteur. Cette these presente la premiere realisation de tbp silicium entierement compatible avec des procedes de fabrication de dispositif mos (metla-oxyde-semiconducteur). Cette compatibilite est obtenue au moyen d'une technologie tranchees. Un siliciure autoaligne est utilise, formant avec le semi-conducteur un contact de type schottky (la base), et un contact ohmique (l'emetteur). La premiere generation de dispositifs de largeur de grille legerement submicronique, a permis d'effecteur des mesures hyperfrequence qui ont donne des frequences de coupure de l'ordre du ghz. Nous avons ensuite defini une seconde generation de transistors, de largeur de grille egale a 0,3 m, et directement testables (en statique et en dynamique) sans report de contact. Nous avons obtenu une frequence maximum de 3 ghz, resultat essentiellement limite par la capacite tres importante de la diode base-collectedur. Ces mesures permettent de remonter aux parametres du dispositif intrinseque et d'extrapoler une frequence maximum de 26 ghz