Étude des structures différentielles à transistor à effet de champ sur arséniure de Gallium dans la gamme microonde : applications
par Javier Gonzalez Villarruel
Thèse de doctorat en Electronique, Microondes
Sous la direction de Jean-Luc Gautier.
Soutenue en 1990
- Structure différentielle
- Transistor Mesfet
- Coupleurs actifs
- Circuits intégrés pour microondes
mots clés
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Résumé
Les structures différentielles à transistor Mesfet dans la gamme microonde feront l'objet de ce mémoire. Nous analyserons l'influence de l'impédance de couplage dans la structure différentielle ainsi que dans le fonctionnement de l'amplificateur différentiel et des coupleurs actifs. Deux méthodes seront exposées pour la détermination de cette impédance. La première, graphique, permettra d'obtenir l'impédance de couplage et les paramètres du modèle électrique du Mesfet pour les différentes topologies utilisées. Pour montrer la faisabilité et l'application de ce type de circuits nous réaliserons deux coupleurs à 180 et 90 en technologie hybride, ainsi que trois autres coupleurs à 180 en technologie monolithique dans une bande plus large (1-10 GHz). D’autres applications des structures différentielles seront aussi exposées
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Titre traduit
Study of the differentials structures with Asga Mesfet in the microwaves range : applications
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