Instrumentation en D. L. T. S. Et contribution à l'étude de quelques interfaces fluorure, semiconducteur ( CaF2/Si et fluorure/III-V )

Instrumentation en D. L. T. S. And contribution to some fluoride/semiconductor interfaces (CaF#2/Si and fluoride/III-V)

• Auteur / Autrice : Abdelwahab Thabti
• Direction : Gérard Couturier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Instrumentation et mesures
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Bordeaux 1

Résumé

La these est principalement consacree aux structures mos et plus particulierement a leurs proprietes electriques. Dans la premiere partie, on rappelle les generalites sur les pieges profonds dans les semiconducteurs et la technique d. L. T. S. , en tant qu'outil pour tester ces pieges, est decrite. Dans une seconde partie, la d. L. T. S. Developpee au laboratoire est largement commentee, elle utilise une simple remontee de temperature. L'appareillage est decrit en detail ainsi que les programmes. Par la suite, la technique d. L. T. S. , ainsi que les methodes de conductance et de capacitance sont utilisees pour etudier les proprietes electriques des interfaces (caf#2/si(100)). Ces interfaces sont principalement domines par des defauts localises dans le materiau isolant au voisinage de l'interface. La section de capture apparente des pieges est par exemple fortement dependante de la position en energie dans la bande interdite. Finalement, la these se termine par quelques nouveaux resultats de passivation des semiconducteurs iii-v par des fluorures. Les materiaux isolants sont obtenus soit par depots sous vide, soit encore par oxydation thermique sous fluor. Dans le cas du materiau inp, une large modulation de surface est obtenue, ce resultat est tres encourageant pour le futur