Etude physique et simulation du comportement a l'ouverture des transistors bipolaires de puissance
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Auteur / Autrice : | Mohamed Ramdani |
Direction : | Jean-Marie Dorkel |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences appliquées |
Date : | Soutenance en 1989 |
Etablissement(s) : | Toulouse 3 |
Résumé
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On etudie l'ouverture des transistors bipolaires a l'aide d'un modele unidimensionnel privilegiant l'etude de la dynamique des charges dans le collecteur faiblement dope. Analyse de l'influence des principaux parametres de structure ainsi que celle de certains composants exterieurs sur les temps de commutation. Application aux bras d'un ondulateur