Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme gainasp : applications en opto-electronique

Metal organic vapor phase epitaxy and characterization of gainasp heterostructures. Optoelectronic devices fabrication

• Auteur / Autrice : Philippe Gentric
• Direction : Robert Cadoret
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés contrôlés

Dépôt en phase vapeur par organométalliques

Résumé

Nous presentons l'epitaxie de materiaux gainasp en accord de maille sur inp par la methode en phase vapeur aux organometalliques (epvom) a pression atmospherique. L'optimisation des conditions de croissance a permis d'obtenir des materiaux tres purs et des heterostructures abruptes. Ces performances ont ete obtenues sur des substrats de diametre 2 pouces. L'homogeneite de la croissance en epaisseur et en composition sur ces grandes surfaces a ete etudiee en detail et optimisee. Des structures de tous types ont ete realisees; leur caracterisation pr effet hall, effet shubnikov-de haas, photoluminescence et double diffraction x est presentee. Enfin, des photodiodes pin et avalanche pour les communications par fibres optiques ainsi que des jfet hyperfrequence ont ete realises