Contribution à l'étude des dislocations dans InP dopé et non dopé
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Auteur / Autrice : | Michael Zafrany |
Direction : | Jean-Pierre Peyrade |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Électronique |
Date : | Soutenance en 1989 |
Etablissement(s) : | Toulouse, INSA |
Mots clés
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Résumé
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La plasticite d'inp non dope, dope soufre et arsenic est etudiee par une nouvelle technique de fluage, le fluage elementaire, dans un domaine de temperature 423-1023 k. La deformation d'inp et inp:s est observee en microscopie electronique in situ; le fonctionnement des sources de dislocations est examine. L'ensemble des resultats est exploite a l'aide des divers modeles de plasticite. La perturbation des proprietes electroniques par les dislocations est mise en evidence par photoluminescence locale