Thèse soutenue

Influence des niveaux profonds et des phénomènes de surface sur les caractéristiques électriques de photodiodes GaInAs

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Auteur / Autrice : Frédérique Ducroquet
Direction : Alain Nouailhat
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences des Matériaux et des Surfaces
Date : Soutenance en 1989
Etablissement(s) : Lyon, INSA
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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L'analyse du courant d'obscurité de photodiodes GaInAs de type PIN pour télécommunications otiques montre qu'il est souvent dominé par un courant de surface, générateur de bruit et cause d'instabilités temporelles, qu'il convient de réduire. Parvenir à une passivation efficace de la surface n'entraînant pas de dégradation notable des propriétés de la surface constitue donc l'un des aspects technologiques déterminants pour l'obtention de dispositifs performants. L'objectif de ce travail est d'étudier l'influence des défauts de volume et ceux liés à la passivation sur les performances électriques de photodiodes planar passivées par nitrure de silicium déposé suivant plusieurs techniques (CVD, PECVD, UVCVD). Les méthodes expérimentales utilisées sont essentiellement des mesures de courant qui ont révélé la présence de phénomènes de dérive sous polarisation; les mécanismes physiques à l'origine du courant de surface sont analysées à partir des caractéristiques courant-tension en fonction de la température. Les défauts induits par le processus de passivation sont caractérisés par des mesures de spectroscopie de capacité et d'admittance. Une modélisation de la périphérie de la jonction permettant de rendre compte de l'ensemble des phénomènes observés est alors développée et confrontée au caractère spécifique de chaque technique de passivation.