Diffusion et gettering du chrome dans le silicium dopé au bore

= Diffusion and gettering of chromium in boron-doped silicon

• Auteur / Autrice : Jin Zhu
• Direction : Daniel Barbier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Génie des matériaux - Sciences des Matériaux et des surfaces
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Lyon, INSA
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Pompes à getter

Diffusion (physique)

Chrome

Résumé

Le travail présenté dans ce mémoire concerne la diffusion et le gettering du chrome dans le silicium, suite à des traitements thermiques à hautes et à basses températures. Les méthodes de caractérisation utilisées sont la DLTS et la microscopie électronique à haute résolution. Nous avons établi une nouvelle loi de diffusion de Cr, valable dans un large domaine de température (20-1050°C) avec une valeur de l'enthalpie de migration de 0,81 eV. Pour la première fois, les coefficients de diffusion pour des températures comprises entre 20 et 100°C ont été mesurés, par suivi de la cinétique de couplage entre le chrome et le bore. Nous avons mis à profit la contribution plus importante des mesures à basse température pour augmenter la précision de détermination de l'enthalpie de migration. L'effet de gettering de Cr a été étudié en fonction de la teneur en oxygène dans les plaquettes de Si, de la température et de l'atmosphère gazeuse des traitements. Le recuit rapide a été utilisé comme technique de réactivation des précipités de Cr. L'effet de drainage de Cr hors de la zone superficielle a été mis en évidence dans certaines conditions de traitements de gettering. Ce résultat est en bon accord avec l'analyse par microscopie électronique en transmission sur la distribution en profondeur des précipités. Par ailleurs, le gettering de Cr s'est révélé totalement inefficace dans Si de type FZ.