Contribution à la modélisation comportementale des composants de puissance en commutation

= Contribution to the behavourial modelling of switching power devices

• Auteur / Autrice : Kamel Besbes
• Direction : Jean-Pierre Chante
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique – Dispositif de l’électronique intégrée
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Lyon, INSA
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LCPA - Laboratoire de composants de puissance et applications (Lyon, INSA1987-1991)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Mémorisation et recherche des informations

Diodes à semiconducteur

MOS (électronique)

Résumé

Ce mémoire traite de la modélisation comportementale des composants de puissance en commutation. Un formalisme original de modélisation a été développé: chaque composant est considéré comme une boite noire. Ce formalisme permet une représentation correcte du comportement du composant à la commutation, exige peu de paramètres physiques à extraire, entraîne une association aisée de différentes boites noires et un bon comportement numérique. Deux composants sont modélises la diode et le transistor MOS de puissance. Le modèle de la diode, bien que basé sur les équations des semi-conducteurs, est original et donne après une étude de validation une entière satisfaction. Le modèle du transistor MOS est une nouvelle formulation des modèles classiques, il tient compte des capacités variables et donne des résultats cohérents avec l'expérience. L'association de ces deux modèles est un résultat original, en effet c'est la première fois qu'il est possible de simuler aussi correctement de telles associations. Cette étude est une étape importante dans la simulation complète des convertisseurs statiques de puissance.

This thesis treats the behavioural modelling of switching power devices. An original formalism has been developed where each device is considered as a black box. While requires few parameters to be switching device. Moreover, it permits the association of different black boxes and offers a good numerical behaviour. Both the diode and the MOS transistor are modelled. Although the model of diode is based on the semiconductor equation it is original and entirely satisfactory. The model takes into account the variable capacitances and gives results which are in a good agreement with the experiment. An original result is the association of the above two models which, for the first time, make possible to simulate correctly such association. This study is an important step for the complete simulation of static power converter.