Mécanismes physico-chimiques mis en jeu dans le processus CVD d'élaboration de céramiques à base de carbure de silicium en réacteur à parois chaudes

Physicochemical mechanisms involved in the CVD process for the synthesis of silicon carbide based ceramics in a hot wall reactor

• Auteur / Autrice : Claude Prebende
• Direction : Francis Langlais
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Bordeaux 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Matériaux céramiques

Dépôt chimique en phase vapeur

Résumé

On mene une approche des processus de depot de si dans le systeme si-h-cl proche de celui utilise pour sic(di-c-h-cl). Les etapes chimiques du depot de sic a partir du precurseur ch#3sicl#3/h#2 sont determinees sur la base d'un calcul thermodynamique relatif aux equilibres homogenes et heterogenes, mettant en evidence une sursaturation tres elevee. La modelisation des transferts de chaleur, de quantite de mouvement et de masse, realisee pour le systeme sih#2cl#2(h#2, est utilisee pour valider le choix de l'ensemble experimental chambre de depot/substrat (reacteur a zone chaude isotherme, geometrie cylindrique). Les variations de la vitesse de depot de si et sic en fonction des parametres experimentaux (temperature, pression, debits) mettent en evidence des transitions entre des processus cinetiques de depot controles par des reactions de surface ou des transferts de matiere. Une tentative de correlation entre la nature chimique des ceramiques deposees et leur cinetique de croissance, ainsi que des mecanismes reactionnels de depot, sont proposes