Etude et realisation d'un simulateur particulaire de la croissance cristalline heteroepitaxique

Study and development of a software to simulate heteroepitaxial crystal growth

• Auteur / Autrice : Abdelouahab Amrani
• Direction : Daniel Estève
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude theorique

Compose mineral

Heterojonction

Croissance cristalline

Couche mince

Epitaxie

Defaut ponctuel

Adsorption

Support

Methode monte carlo

Non metal

Simulation ordinateur

Heteroepitaxie

Interaction moleculaire

Semiconducteur

Tellure

Gallium arseniure

Theoretical study

Inorganic compound

Heterojunction

Crystal growth

Thin film

Epitaxy

Point defect

Adsorption

Support

Monte carlo method

Non metal

Computer simulation

Heteroepitaxy

Molecular interaction

Semiconductor materials

Tellurium

Gallium arsenides

Résumé

Developpement d'un outil de simulation pour expliquer et evaluer les resultats technologiques. Approche particulaire associant la methode de monte carlo et la mecanique moleculaire. Le modele developpe tient compte des effets de contrainte et de la generation des defauts qui en decoulent. Realisation d'une premiere generation de ''simulateur moleculaire'' qui traite: (1) les deplacements des atomes de surface en tenant compte des contraintes de chacun des atomes mobiles, (2) apparition de defauts ponctuels deduits d'un premier modele simple, (3) la separation spatiale des adatomes tendant a former des amas et la repartition des energies de contraintes