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des thèses françaises
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Caracterisation des niveaux profonds dans le materiau photorefractif bi : :(12) geo::(20) par analyse de transitoires de courant photo-induit
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Nadia Benjelloun |
| Direction : | Jean-Paul Zielinger |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Physique |
| Date : | Soutenance en 1988 |
| Etablissement(s) : | Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008) |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes electriques, magnetiques, optiques
Etude experimentale
Piegeage porteur charge
Niveau profond
Section efficace
Potentiel ionisation
Ionisation thermique
Effet photorefractif
Absorption optique
Photoconductivite transitoire
Effet photoinduit
Transfert charge
Dopage
Codopage
Etat amorphe
Methode mesure
Fer|sec
Vanadium|sec
Bismuth germanium oxyde mixte|sub
Cadmium indium sulfure mixte
Systeme hydrogene silicium
Semiisolant
Centre recombinaison
Spectrometrie transitoire courant photoinduit
Experimental study
Charge carrier trapping
Deep level
Cross section
Ionization potential
Thermal ionization
Photorefractive effect
Optical absorption
Transient photoconductivity
Photoinduced effect
Charge transfer
Doping
Codoping
Amorphous state
Measurement method
Iron
Vanadium
Bismuth germanium oxides mixed
Cadmium indium sulfides mixed
Photoinduced current transient spectrometry
Résumé
FR
La methode est utilisee pour l'etude de la densite d'etats dans la bande interdite du silicium amorphe hydrogene et sur cdin::(2)s::(4). La caracterisation des niveaux ayant des energies d'ionisation thermique entre 0,1 ev et 0,9 ev, le modele de transfert de charge decrivant l'effet photorefractif et l'evaluation du niveau de recombinaison, sont faits dans le materiau photorefractif. Les effets du dopage (fer) et du codopage (fer, vanadium) sur les niveaux sont consideres. Le centre responsable de la capture d'electrons est aussi etudie par absorption optique et photoconductivite photoinduites. Les resultats s'accordent avec ceux des mesures de photorefractivite