Étude et applications de l'effet photoréfractif dans les semi-conducteurs GaAs
Auteur / Autrice : | Béatrice Imbert |
Direction : | Jean-Pierre Huignard |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1988 |
Etablissement(s) : | Paris 11 |
Partenaire(s) de recherche : | Autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) |
Résumé
Les matériaux semiconducteurs d'arséniure de gallium sont bien adaptés pour des applications photoréfractives dans le domaine spectral du proche infra-rouge : l'illumination de ces matériaux Photoconducteurs par un éclairement modulé spatialement conduit à une redistribution spatiale de charges ; le champ électrique interne résultant de cette répartition de charges induit alors par effet élec tro-optique linéaire le réseau d' indice qui constitue un réseau de phase. L'étude théorique et expérimentale de la redistribution d'énergie qui accompagne la formation d'un hologramme de phase dans un cristal GaAs : Cr permet, pour des conditions d'enregistrement optimisées, l'amplification efficace d’une onde signal incidente. L'amplificateur optique GaAs : Cr est alors utilisé dans des applications telles que l'amplification cohérente d’images, les cavités auto induites et la conjugaison de phase avec gain.