Diffusion de zinc dans les materiaux algainas : application au transistor bipolaire a heterojonction

Zinc diffusion in algainas materials: application to heterojunction bipolar transistor

• Auteur / Autrice : Paul-Eric Hallali
• Direction : GILLES DE ROSNY
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Transistor

Transistor heterojonction

Compose iii-v

Aluminium gallium indium arseniure mixte

Diffusion ion

Zinc ion atomique

Epitaxie

Jet moleculaire

Procede fabrication

Indium phosphure

Transistor

Heterojunction transistor

Iii-v compound

Aluminium gallium indium arsenides mixed

Ion scattering

Zinc atomic ions

Epitaxy

Molecular jet

Manufacturing process

Indium phosphides

Résumé

Ces materiaux quaternaires algainas et les ternaires limites gainas et alinas sont elabores par epitaxie par jets moleculaires sur substrat de phosphure d'indium. Les diffusions sont realisees en utilisant la technique de la boite semi-fermee et elles sont caracterisees par profilometre electrochimique (polaron) et par sonde ionique (sims). On etudie experimentalement le mecanisme de diffusion du zinc dans gainas et on determine un mecanisme intersticiel-substitutionnel. Ensuite on expose l'utilisation de la diffusion dans le procede de fabrication des transistors bipolaires a heterojonction