1999-03-13T23:59:59Z
2021-01-28T20:22:08Z
Dopage plan silicium dans l'arseniure de gallium
1988
1988-01-01
Apres avoir rappele le principe de la technique de croissance d'epitaxie par jets moleculaires, presentation d'un ensemble de caracterisations magneto-electriques (effet hall a bas champ magnetique, magneto-resistance et effet a fort champ magnetique), mais aussi des resultats purement electriques de c(v). Analyses par spectroscopie de masse d'ions secondes et mesures de double diffraction x. Tres bon accord entre ces resultats experimentaux et les investigations theoriques sur ces structures. Application de la technique a l'elaboration de dopages intenses, de contact ohmiques non allies et de transistors a effet de champ dont le canal est constitue par un dopage plan. Les performances presentees montrent les potentialites des dopages plan dans l'application a des structures de plus en plus sophistiquees
Physique
Sciences des materiaux, rheologie
Etude experimentale
Croissance cristalline
Epitaxie
Diffraction rx
Double diffraction
Dopage
Silicium|sec
Compose mineral
Semiconducteur
Condensation faisceau moleculaire
Contact ohmique
Transistor effet champ
Effet hall
Magnetoconductivite
Caracteristique capacite tension
Champ magnetique
Propriete magnetoelectrique
Gallium arseniure|sub
Experimental study
Crystal growth
Epitaxy
X ray diffraction
Double diffraction
Doping
Silicon
Inorganic compound
Semiconductor materials
Molecular beam condensation
Ohmic contact
Field effect transistor
Hall effect
Magnetoconductivity
Voltage capacity curve
Magnetic field
Magnetoelectric properties
Gallium arsenides
GILLMANN, GILBERT
Bok, Julien
Paris 6