Dopage plan silicium dans l'arseniure de gallium

par GILBERT GILLMANN

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Julien Bok.

Soutenue en 1988

à Paris 6 .

mots clés

• Physique
• Sciences des materiaux, rheologie
• Etude experimentale
• Croissance cristalline
• Epitaxie
• Diffraction rx
• Double diffraction
• Dopage
• Silicium|sec
• Compose mineral
• Semiconducteur
• Condensation faisceau moleculaire
• Contact ohmique
• Transistor effet champ
• Effet hall
• Magnetoconductivite
• Caracteristique capacite tension
• Champ magnetique
• Propriete magnetoelectrique
• Gallium arseniure|sub
• Experimental study
• Crystal growth
• Epitaxy
• X ray diffraction
• Double diffraction
• Doping
• Silicon
• Inorganic compound
• Semiconductor materials
• Molecular beam condensation
• Ohmic contact
• Field effect transistor
• Hall effect
• Magnetoconductivity
• Voltage capacity curve
• Magnetic field
• Magnetoelectric properties
• Gallium arsenides

Résumé

Apres avoir rappele le principe de la technique de croissance d'epitaxie par jets moleculaires, presentation d'un ensemble de caracterisations magneto-electriques (effet hall a bas champ magnetique, magneto-resistance et effet a fort champ magnetique), mais aussi des resultats purement electriques de c(v). Analyses par spectroscopie de masse d'ions secondes et mesures de double diffraction x. Tres bon accord entre ces resultats experimentaux et les investigations theoriques sur ces structures. Application de la technique a l'elaboration de dopages intenses, de contact ohmiques non allies et de transistors a effet de champ dont le canal est constitue par un dopage plan. Les performances presentees montrent les potentialites des dopages plan dans l'application a des structures de plus en plus sophistiquees

Titre traduit

Silicon planar doping in gallium arsenide

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