Hydrogénation d'alliages semi-conducteurs amorphes : Structure et propriétés électroniques des alliages amorphes hydrogènes SI::(1-X)SN::(X):H

Hydrogénation of amorphous semiconducting alloys : structure and electronic properties of the hydrogenated amorphous alloys SI::(1-X)SN::(X) : H

• Auteur / Autrice : Michel Vergnat
• Direction : Michel Piecuch
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Nancy 1
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Électrons -- Diffraction

Hydrogénation

Semiconducteurs amorphes

Spectroscopie Mössbauer

Composites

Mots clés libres

Physique

état condensé

Propriétés mécaniques et thermiques

Étude expérimentale

Non métal

Couche mince

État amorphe

Impureté

Hydrogène|sec

Support

Composition chimique

Système binaire

Hydrogénation

Semiconducteur

Diffraction électron

Spectre moessbauer

Couche multiple

Caractérisation

Conductivité électrique

Propriété transport

Silicium|sub

Système étain silicium|sub

Évaporation réactive

Experimental study

Non metal

Thin film

Amorphous state

Impurity

Hydrogen

Support

Chemical composition

Binary system

Hydrogenation

Semiconductor materials

Electron diffraction

Moessbauer spectrum

Multiple layer

Characterization

Electrical conductivity

Transport properties

Silicon

Reactive evaporation

Résumé

Les atomes d'hydrogène sont introduits dans les couches durant leur élaboration par évaporation. L'influence des paramètres de préparation est mise en évidence sur les propriétés physiques de couches de SI pur. Les alliages SI::(1-X)SN::(X) et SI::(1-X)SN::(X) : H peuvent être préparés à l'état amorphe dans une large gamme de compositions. Des études de diffraction électronique, de spectrométrie moessbauer et des mesures de densité massique montrent que ces alliages possèdent une structure tétraédrique. Cette méthode a également permis d'élaborer des multicouches SI/SI : H, de l'étain semiconducteur et de l'hydrure de titane