Propriétés physiques des structures métal/isolant/semiconducteur réalisées sur INP(N) à l'aide d'un oxyde natif plasma

Physical properties of mis structures realized on INP(N) with a plasma native oxide

• Auteur / Autrice : Benachir Bouchikhi
• Direction : Serge Ravelet
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Nancy 1
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

MIS (électronique)

Phosphure d'indium

Passivité (chimie)

Diélectriques

Composés semiconducteurs

Mots clés libres

Sciences appliquées

électronique

Structure mis

Composé III-V

Passivation

Oxydation

Plasma

Contact isolant semiconducteur

État électronique interface

Caractéristique électrique

Spectrométrie transitoire niveau profond

Modèle électrique

Propriété physique

Indium phosphorure

MIS structure

III-V compound

Passivation

Oxidation

Plasma

Semiconductor insulator contact

Interface electron state

Electrical characteristic

Deep level transient spectrometry

Electrical model

Physical properties

Résumé

On aborde 3 aspects : la passivation du phosphorure d'indium dans un plasma RF d'oxygène, la caractérisation électrique des structures MIS élaborées à l'aide des mesures (C-V), (G-V) et d'autres mesures de spectrométries de niveaux profonds (DLTS-DDLTS), et l'élaboration du schéma équivalent de la structure MIS