Nouveau modele electrique de transistor a effet de champ millimetrique : application a la conception d'amplificateurs bas niveau 18-40 ghz

New eletrical model of field effect transistor for millimeter-wave frequencies. Application to the conception of linear 18-40 ghz amplifiers

• Auteur / Autrice : Laurent Escotte
• Direction : Jean-Claude Mollier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Limoges

Résumé

L'elaboration d'un nouveau modele electrique du transistor a effet de champ permettant de caracteriser le composant en petit signal par ses parametres s et ses parametres de bruit dans le domaine micro-onde et millimetrique constitue l'objet de cette these. Notre modele est obtenu a partir de mesures de parametres s et de facteur de bruit effectuees jusqu'a 26 ghz et ensuite compare a differents modeles rencontres dans la litterature. Un exemple d'application a la conception d'un amplificateur bas niveau large bande a conduit a la realisation pratique d'un amploficateur a gain constant en technologie hybride dans la bande 18-40 ghz