Caractérisation de la formation des interfaces silicium-titane et silicium-siliciures de titane

Characterization of the formation of silicon-titanium and silicon-titanium sillicides interfaces

• Auteur / Autrice : Xavier Wallart
• Direction : Gisèle Dalmai
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Science des matériaux
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Interfaces (sciences physiques)

Structure électronique

Croissance

Couches minces

Siliciures

Auger, Effet

Résumé

Caractérisation sous ultra-vide par spectroscopies Auger et de pertes d'énergie, diffraction d'électrons lents et microscopie électronique. Il est montré que l'interface Ti-Si à 25°C n'est pas abrupte sauf en présence d'impuretés. Lors des recuits de films Ti, mise en évidence de l'importance de la diffusion aux joints de grain, de la structure polycristalline à petits grains des films obtenus et de la difficulté de fabriquer un film continu de TiSi2 de faible épaisseur dans sa phase de faible résistivité. Le dépôt de Ti sur Si chauffé (200-400°C) conduit à des croissances dont le caractère tridimensionnel augmente avec la température du support et à 400 °C, l'épitaxie locale de grains TiSi2 sur le support est observée. Cette méthode n'améliore ni la morphologie du film, ni la rugosité de l'interface : nécessité d'explorer d'autres procédures.