SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE LOCALE DANS LES SEMICONDUCTEURS MASSIFS (Si, InP) ET LES PUITS QUANTIQUES (GaAs/GaAlAs)
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EN
| Auteur / Autrice : | Sylvie Valloggia |
| Direction : | Jean-Claude Brabant |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Électronique |
| Date : | Soutenance en 1988 |
| Etablissement(s) : | Toulouse, INSA |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes electriques, magnetiques, optiques
Etude experimentale
Photoluminescence
Haute resolution
Resolution temporelle
Exciton
Recombinaison
Propriete interface
Defaut cristallin
Dislocation
Traitement thermique
Atmosphere oxydante
Puits quantique
Puits quantique multiple
Semiconducteur
Basse temperature
Temperature
Compose mineral
Aluminium gallium arseniure mixte
Gallium arseniure
Indium phosphure
Silicium
Experimental study
Photoluminescence
High resolution
Time resolution
Exciton
Recombination
Interface properties
Crystal defect
Dislocation
Heat treatment
Oxidizing atmosphere
Quantum well
Multiple quantum well
Semiconductor materials
Low temperature
Temperature
Inorganic compound
Aluminium gallium arsenides mixed
Gallium arsenides
Indium phosphides
Silicon