Le moteur de recherche
des thèses françaises
'%3e%3cpath%20style='fill:%2300a0dc;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.144606;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20d='M41.8%20100.088H52.28c.46%200%20.831.421.831.945v10.25c0%20.524-.37.946-.831.946H41.8c-.46%200-.831-.422-.831-.945v-10.251c0-.524.37-.945.831-.945z'/%3e%3cpath%20d='m47.072%20102.02-4.87%202.656%204.87%202.657%203.985-2.174v3.06h.885v-3.543m-7.969%201.851v1.771l3.1%201.691%203.098-1.691v-1.77l-3.099%201.69z'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke-width:.442726'/%3e%3ccircle%20style='fill:%23009f1d;fill-opacity:1;stroke:%23fff;stroke-width:.379704;stroke-linecap:round;stroke-linejoin:round;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20cx='54.151'%20cy='101.224'%20r='3.451'/%3e%3cpath%20d='m55.669%2099.387.659.664-3.075%203.104-1.634-1.649.66-.663.974.979%202.416-2.435'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.30061;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1'/%3e%3c/g%3e%3c/svg%3e)
GaAs & GaAs:In : Influence des traitements de surface et caractérisation de l'homogénéité par imagerie de la photoluminescence
| Auteur / Autrice : | Abdelaziz Khoukh |
| Direction : | Stanislaw Krawczyk |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences. Électronique |
| Date : | Soutenance en 1988 |
| Etablissement(s) : | Ecully, Ecole centrale de Lyon |
| Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (Ecully, Rhône ; 1995-2006) |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Dans ce travail, nous avons effectue une etude comparative des substrats de gaas et gaas:in pendant certains traitements technologiques (polissage, attaque chimique, recuit). Nous montrons que la procedure de polissage de gaas par une solution aqueuse de naocl ne peut-etre appliquee pour gaas:in sans modification. La vitesse de polissage croit avec la teneur en indium et la concentration optimale de naocl doit etre diminuee dans le cas de gaas:in. De plus, l'attaque chimique dans une solution de naocl permet de reveler les striations d'indium dans le materiau gaas:in. Nous avons egalement etudie la decomposition thermique des substrats non proteges de gaas:in. Nous montrons que le recuit a des temperatures proches de 700#oc provoque une exodiffusion de l'indium suivie par la nucleation d'ilots d'indium a la surface. Pour des temperatures de recuit proches de 850#oc, l'exodiffusion est suivie par une formation de precipites d'indium et de gallium pres de la surface. Dans le cadre de ce travail, nous avons aussi etudie les substrats gaas et gaas:in par imagerie de photoluminescence (pl) a temperature ambiante. Nos mesures mettent en evidence la presence d'inhomogeneites diverses dues aux dislocations et leurs structures cellulaires, aux striations de dopage, aux bandes de glissement et aux defauts de surface. Nous montrons egalement que l'intensite de pl et le contraste des images sont fortement influences par les traitements de surface (attaque, recuit, depot d'isolant). Les resultats obtenus sont discutes sur la base d'un modele theorique simple, fonde sur la resolution de l'equation de continuite