Effets de surface et bruits en exces dans le transistor a effet de champ sur arseniure de gallium

Surface effect and low-frequency noise in gaas field effect transistor

• Auteur / Autrice : Michel Pouységur
• Direction : Jacques Graffeuil
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Transistor effet champ

Bruit

Gallium arseniure

Bruit fond

Effet surface

Bruit basse frequence

Field effect transistor

Noise

Gallium arsenides

Background noise

Surface effect

1

F noise

Résumé

Un nouveau modele du bruit en exces basse-frequence dans les structures gaas est presente dans ce memoire. Il est base sur l'etude precise du comportement electrique de la zone interelectrodes des composants. Il prend en compte deux phenomenes distincts propres a cette region et qui agissent en particulier sur le bruit de fond electrique. La prise en compte simultanee de ces deux phenomenes permet de rendre compte avec precision de certains comportements du bruit basse-frequence jusqu'alors inexpliques dans les structures gaas. Il s'agit en particulier du bruit en 1/f**(3/2) communement mesure sur des composants de technologie avancee. La validite du modele est verifiee par de nombreuses experiences et mesures realisees sur plusieurs types de composants. Une etroite correlation est mise en evidence entre les caracteristiques de la surface des composants et leur comportement en bruit. Ce modele permet egalement de definir diverses ameliorations technologiques susceptibles dans l'avenir de minimiser le bruit de fond electrique basse-frequence des composants gaas