Etude et intégration monolithique d'un détecteur et d'un préamplificateur Pin-Tec à hétérojonction GaAs/GaAlAs

• Auteur / Autrice : Mohand-Tahar Belaroussi
• Direction : Francis Therez
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Résumé

Ce memoire presente l'etude et la realisation de l'integration monolithique d'un detecteur et d'un preamplificateur a heterojonction gaas/gaalas. Apres un bref rappel de l'evolution des techniques des transmissions optiques, nous avons montre le besoin de developper d'autres materiaux pouvant repondre aux exigences des telecommunications par fibre optique. Le principe de fonctionnement et les criteres de conception du circuit integre detecteur-tec sont decrits. Nous evaluons ensuite la sensibilite du photorecepteur integre sur un substrat gaas a partir des caracteristiques des deux dispositifs elementaires. La fabrication du tec a heterojonction est organisee a partir de la technique de l'epitaxie en phase liquide. La structure comprend deux couches epitaxiees, principales, le canal forme par une couche de gaas de type n et la region de grille en gaalas/gaas de type p. Nous detaillons la technologie de fabrication du composant et nous identifions les caracteristiques courant-tension. Nous avons obtenu un facteur d'idealite proche de 2, des courants inverses de l'ordre 1na, un courant de saturation de l'ordre de 1,4. 10**(-10) a/cm**(2) et une transconductance de 60 ms/mm