Le transistor d. Mos vertical en amplification haute frequence de puissance

• Auteur / Autrice : Gilles Tardivo
• Direction : Pierre Rossel
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Résumé

Un modele dynamique, non lineaire, original du transistor d. Mos vertical (v. D. Mos) dont les elements ne dependent que les donnees physiques et technologiques du composant et des tensions de polarisation est propose. Apres implantation de ce modele dans le logiciel astec iii, une premiere comparaison entre les caracteristiques simulees et mesurees a ete realisee en regime statique, en commutation et en regime dynamique petit signal. Afin de permettre la simulation en grand signal d'amplificateur rf de puissance a transistor v. D. Mos, de nouvelles procedures de simulation des transistors instables au sens de linvill ont ete mises au point. Leur utilisation a conduit apres realisation pratique d'amplificateurs a la validation du modele en regime d'amplification grand-signal de puissance. Enfin, l'application de ces procedures et de ce modele a permis d'etablir des regles de conception pour des transistors v. Dmos devant fonctionner dans la gamme u. H. F.