Activation electrique et redistribution de l'arsenic et du bore implantes dans le silicium apres recuit thermique rapide
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Auteur / Autrice : | Michel Ajaka |
Direction : | Paul Siffert |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1987 |
Etablissement(s) : | Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008) |
Résumé
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Etude des differents aspects du recuit thermique rapide applique a la guerison des defauts et a l'activation des dopants dans le silicium implante. Demonstration du fait que les temps brefs mis en jeu dans ce type de recuit permettent de reveler des effets transitoires, limites a quelques minutes dans le cas de l'epitaxie en phase solide et a quelques secondes dans le cas de la diffusion des dopants