Thèse soutenue

Étude par diffraction des rayons X de l'onde de densité de charge dans les bronzes bleus de molybdène A₀. ₃ MoO₃ (A=K, Rb, T1)

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Auteur / Autrice : Sylvie Girault
Direction : Robert Comes
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences physiques
Date : Soutenance en 1987
Etablissement(s) : Paris 11
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Mots clés

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Résumé

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Le bronze bleu de molybdène, de formule générale A0. 3 MoO3, où A est un monovalent, présente vers 180K une instabilité de Peierls avec formation d'une onde de densité de charge et d'une distorsion structurale. D'un point de vue du transport électronique, cette instabilité se manifeste par une transition métal-semiconducteur. Dans la phase basse température, en utilisant la méthode de diffraction des rayons X, nous avons réalisé un affinement structural de l'intensité des satellites qui nous a permis de caractériser le mode de distorsion des octaèdres Mo06. Au voisinage de la transition, nous avons analysé le profil de l'intensité des réflexions satellites et diffusions diffuses afin de déterminer les exposants critiques relatifs au paramètre d'ordre, aux longueurs de corrélations et à la susceptibilité. Ceux-ci sont compatibles avec un modèle d=3 n=2, d et n étant respectivement les dimensions du système et du paramètre d'ordre. Dans la phase haute température, nous avons utilisé la technique de diffusion diffuse et montré qu'au-delà du domaine de fluctuations critiques tridimensionnelles, il existe un régime bidimensionnel, ce dernier subsistant jusqu'à la température ambiante. Parallèlement à ce travail, nous avons synthétisé des échantillons dopés au vanadium, puis réalisé un affinement structural afin de localiser les impuretés. Nous montrons que le vanadium est essentiellement localisé sur le site Mo(2). Nous avons effectué des mesures de diffraction et de conductivité sur ce même composé qui révèlent d'une part la suppression de l'ordre à grande distance à basse température, et d'autre part un état semi-conducteur qui subsiste jusqu'à 300K.