Mecanismes de croissance et de constitution d'interfaces dans les couches minces de semiconducteurs amorphes hydrogenes etudies par ellipsometrie spectroscopique in situ

In situ spectroscopic ellipsometry study of the growth and interface creation mechanisms in hydrogenated amorphous semiconducting thin films

• Auteur / Autrice : ANNE-MARIE ANTOINE
• Direction : Bernard Drévillon
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés contrôlés

Ellipsométrie

Semiconducteurs amorphes

Interfaces (sciences physiques)

Couches minces

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude experimentale

Non metal

Couche mince

Etat amorphe

Impurete

Hydrogene|sec

Support

Ellipsometrie spectroscopique

Interface solide solide

Semiconducteur

Systeme binaire

Silicium|sub

Germanium|sub

Systeme germanium silicium

Experimental study

Non metal

Thin film

Amorphous state

Impurity

Hydrogen

Support

Spectroscopic ellipsometry

Solid solid interface

Semiconductor materials

Binary system

Silicon

Germanium

Résumé

Etude de la croissance de couches minces de silicium, germanium et d'alliages silicium-germanium amorphes hydrogenes deposees par decomposition radiofrequence de silane, germane et d'hydrogene. Etude des mecanismes d'initiation de la couche en fonction des conditions de preparation. Analyse de l'influence de la nature du support sur le depot des premieres couches monomoleculaires