Etude de la cristallisation en phase solide de couches minces de silicium implantees

Study of solid-phase crystallization in ion-implanted silicon thin films

• Auteur / Autrice : Yvon Pastol
• Direction : Jacques Bourgoin
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude experimentale

Non metal

Couche mince

Cristallisation

Implantation ion

Bore ion atomique

Phosphore ion atomique

Silicium ion atomique

Recuit

Recuit thermique

Conductivite electrique

Texture

Etat amorphe

Silicium

Experimental study

Non metal

Thin film

Crystallization

Ion implantation

Boron atomic ions

Phosphorus atomic ions

Silicon atomic ions

Annealing

Thermal annealing

Electrical conductivity

Texture

Amorphous state

Silicon

Résumé

Etude des effets de dopage par implantation de bore et de phosphore. Etude du role des defauts d'irradiation dans des couches implantees au silicium. Les couches implantees et non implantees sont cristallisees en phase solide par recuit thermique a basse temperature. Etude de la taille des grains, de la texture, de la morphologie de surface et de la conductivite electriques des couches en fonction de la concentration d'ions implantes