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des thèses françaises
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Effets des deformations sur les proprietes optiques des super-reseaux contraints a base de semi-conducteurs iii-v
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Jean-Yves Marzin |
| Direction : | Michel Voos |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Physique |
| Date : | Soutenance en 1987 |
| Etablissement(s) : | Paris 7 |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes electriques, magnetiques, optiques
Propriete optique
Contrainte interne
Superreseau
Structure bande
Photoluminescence
Spectre excitation
Absorption optique
Transition optique
Bande valence
Epaisseur
Separation phase
Accommodation reseau
Compose mineral
Compose iii-v
Semiconducteur
Etude experimentale
Gallium indium arseniure mixte
Gallium arseniure
Aluminium indium arseniure mixte
Indium|sub arseniure
Discontinuite bande
Fonction enveloppe
Optical properties
Internal stress
Superlattice
Band structure
Photoluminescence
Excitation spectrum
Optical absorption
Optical transition
Valence band
Thickness
Phase separation
Mismatch lattice
Inorganic compound
Iii-v compound
Semiconductor materials
Experimental study
Gallium indium arsenides mixed
Gallium arsenides
Aluminium indium arsenides mixed
Indium arsenides
Band offset
Envelope function
Résumé
FR
Etude, par photoluminescence, spectrometrie d'excitation et absorption optique, de plusieurs systemes contraints et en particulier du systeme in::(0,15)ga::(0,85)as/gaas sur gaas; modifications de la structure de bande dues aux contraintes natives. Identification des transitions optiques; bon accord avec un modele de fonctions enveloppes incluant les effets des contraintes. Estimation des discontinuite de bandes; configuration des bandes de valence. Etude de systemes fortement contraintes sur l'exemple de inas/gaas; transitions associees a la presence de monocouche(s) de inas dans une matrice gaas; effets lies a la segregation de in en surface et au passage d'un mode de croissance 2d a un mode 3d