Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de gainp et algainp sur gaas : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Organometalic vapor phase epitaxy of gainp and algainp on gaas substrats. Application to the realization of electroluminescent diodes and heterojonctions lasers

• Auteur / Autrice : ERIC DUPONT-NIVET
• Direction : Robert Cadoret
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Compose mineral

Couche mince

Croissance cristalline

Epitaxie

Compose organometallique

Etude experimentale

Diode electroluminescente

Laser

Heterojonction

Puits quantique

Depot chimique phase vapeur

Interface solide solide

Dopage

Dispositif optoelectronique

Gallium indium phosphure mixte

Aluminium gallium indium phosphure mixte

Inorganic compound

Thin film

Crystal growth

Epitaxy

Organometallic compound

Experimental study

Light emitting diode

Laser

Heterojunction

Quantum well

Chemical vapor deposition

Solid solid interface

Doping

Optoelectronic device

Gallium indium phosphides mixed

Aluminium gallium indium phosphides mixed

Résumé

Principes de base de la methode movpe et problemes poses par sa mise en oeuvre. Cas particuliers de gainp et de algainp. Analyse des mecanismes de la methode movpe. Proprietes des interfaces gainp/gaas, algainp/gaas et algainp/gainp et presentation de puits quantiques algainp/gainp. Realisation de dispositifs optoelectroniques: presentations de diodes electroluminescentes a homojonctions en gainp et algainp, examen des travaux des principales equipes epitaxiant algainp, presentation de lasers a heterojonctions algainp/gainp/algainp