Etude optique et electrique de silicium jusqu'a 18 gigapascals : cristallogenese et caracterisation des phases silicium trois et silicium quatre stables a l'ambiante

Optical and electrical properties of silicon up to 18 gigapascals: crystal growth and characterization of silicon three and silicon four phases stable under the ambient

• Auteur / Autrice : El Hassane Mokhtari
• Direction : Jean-Michel Besson
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude experimentale

Non metal

Polymorphisme

Temperature

Pression

Conductivite electrique

Photoconductivite

Propriete electrique

Semiconducteur

Silicium

Experimental study

Non metal

Polymorphism

Temperature

Pressure

Electrical conductivity

Photoconductivity

Electrical properties

Semiconductor materials

Silicon

Résumé

Sept structures cristallines du silicium ont ete identifiees jusqu'a 50 gigapascals. La phase cubique diamant n'est pas stable au-dessus de 9,3 gigapascals. Dans les conditions hydrostatiques, il se transforme dans la structure de l'etain blanc avec un hysteresis considerable. La presence de contraintes reduit la pression de transition et favorise l'apparition de la structure cubique centree. Le silicium cubique centre pur en echantillon desordonne a ete obtenu apres pressurisation du silicon a 18 gigapascals, ses proprietes electriques ont ete mesuree pour la premiere fois. La phase cubique centree se transforme dans la structure hexagonale diamant au-dessus de 500 k et a pression ambiante