Etude des elements parasites et de leur impact sur les performances des circuits cmos-vlsi

• Auteur / Autrice : Eric Estève
• Direction : Serge Rigo
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

L'etude des elements parasites (resistances et capacites) a ete faite sur une technologie cmos-2 microns. La structure de test et les mesures obtenues ont permis de degager une modelisation analytique de la resistance de contact, decouplant la resistance d'interface et la resistance due a la repartition du courant au sortir du contact. Des etudes en fonction de la temperature ont permis de valider ce modele. Concernant les capacites, une nouvelle technique de mesure, la methode comparative, a permis d'avoir acces a des capacites de 10**(-13) farads et, associee a des techniques plus classiques, de degager une modelisation prenant en compte les effets de bord pour les jonctions et les interconnexions. La modelisation du delai dans les interconnexions a ete faite, permettant de proposer des solutions basees sur la circuiterie. Une etude systematique de l'impact des elements parasites sur les performances d'un circuit a ete realisee par simulations electriques, permettant de hierarchiser les elements parasites, etude completee a titre prospectif en envisageant une technologie sous micronique a dispositif l. D. D. Il apparait que l'impact des elements parasites non inclus dans le modele electrique de transistor restera dans une proportion de 15% du temps de commutation, ce qui n'implique pas de complexifier le modele actuel. Par contre, un calcul automatique de tous les elements parasites associes a un circuit global serait necessaire pour conforter la conception de circuit