Etude de la face (100) du silicium

Study of the silicon (100) surface

• Auteur / Autrice : Ikoto Andriamanantenasoa
• Direction : Claude Sébenne
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Paris 7

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude experimentale

Non metal

Structure surface

Structure adsorption

Face cristalline

Surface propre

Propriete electronique

Diffraction electron lent

Spectrometrie auger

Silicium

Experimental study

Non metal

Surface structure

Adsorption structure

Crystal face

Clean surface

Electronic properties

Leed diffraction

Auger electron spectrometry

Silicon

Résumé

Etude des proprietes d'interface de la face (100) de si: (1) proprietes atomiques (cristallographie de surface), (2) proprietes electroniques (etats de surface. . . ). La premiere partie concerne la surface ''propre'': etude de l'effet de la temperature de chauffage de la surface. La seconde partie concerne l'etude de l'adsorption de l'oxygene sur si(100). La derniere partie traite de l'adsorption metallique sur si(100): etude des systemes ga/si(100), ir/si(100) et sn/si(100)