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Conversion photovoltaïque solaire multispectrale : propriétés des cellules (Ga, In)As épitaxiées sur InP
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Bernard Beaumont |
| Direction : | Christian Verié |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Physique |
| Date : | Soutenance en 1987 |
| Etablissement(s) : | Nice |
Mots clés
FR
Mots clés contrôlés
Résumé
FR
Étude des possibilités de conversion de l'énergie solaire correspondant à hnu 1,43 eV. L'analyse conduite, extrapolant les qualités électroniques de GaAs, prévoit un rendement supérieur à 40% pour la conversion quadrispectrale sous faible concentration pour les applications terrestres. La deuxième partie concerne la croissance épitaxiale en phase liquide de structures photovoltaïques dans l'alliage (Ga, In)As et l'élaboration de cellules