Thèse soutenue

Préparation et caractérisation d'AlSb massif et de diodes Au-AlSb (p)

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Auteur / Autrice : Shatha Sadiq
Direction : André Joullie
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences
Date : Soutenance en 1987
Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

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Résumé

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Preparation du semiconducteur alsb par croissance bridgman; caracterisation par effet hall et mesure de resistivite. Determination de la structure de bande par electroreflexion. L'etude des diodes schottky au-alsb(p) montre que le contact se comporte comme une structure mis avec une couche interfaciale isolante de 70 a d'epaisseur et une densite d'etats de surface de 5 x 10**(11) cm**(-2) cv**(-1)