Contribution à l'étude des phénomènes de photoconduction sur matériaux contraints GaInAs/GaAs : application à la réalisation de têtes optiques intégrées aux longueurs d'onde 1,3um-1,55um

Contribution to the study of photoconduction phenomena on strained materials GaInAs/GaAs : application to the realisation of integrated optical head to wavelength 1,3-1,55 upsilon m

• Auteur / Autrice : Jamal Ramdani
• Direction : Didier Decoster
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Semiconducteurs

Fibres optiques

Photoconductivité

Résumé

Le développement des télécommunications optiques à haut débit d'informations suppose la conception et la réalisation de photorécepteurs aux longueurs d'onde 1,3 et 1,55 upsilon m ; l'objet de ce travail est de présenter une solution originale qui permet l'intégration monolithique d'un photorécepteur adapté à ces longueurs d'onde