ETUDE DES PREMIERES ETAPES DE LA CROISSANCE PAR JETS MOLECULAIRES SUR LES SYSTEMES HETEROEPITAXIAUX GaAs-(Ca, Sr)F2 ET GaAs/Si

INITIAL STAGES OF MOLECULAR BEAM HETEROEPITAXIAL GROWTH IN GaAs-(Ca, Sr)F2 AND GaAs/Si SYSTEMS

• Auteur / Autrice : Jean Castagné
• Direction : Antonio Muñoz Yagüe
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (Toulouse ; 1968-....)

Mots clés

Mots clés libres

Couche mince

Croissance cristalline

Epitaxie

Etude experimentale

Heteroepitaxie

Compose mineral

Diffraction electron reflexion

Spectrometrie auger

Mecanisme croissance

Condensation faisceau moleculaire

Support

Gallium arseniure

Calcium strontium fluorure mixte

Résumé

PREPARATION DES SUPPORTS GaAs ET Si. DEPOT DE (Ca, Sr)F2 SUR GaAs (ACCOMMODATION DES RESEAUX) ET SUR SI (DESACCOMMODATION = 5%) ET ETUDE DU MODE DE CROISSANCE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET DIFFRACTION RHEED. PUIS ETUDE DE LA REPRISE DE CROISSANCE DE GAAS SUR (Ca, Sr)F2 OU SUR Si EN DEPOSANT D'ABORD UNE FINE COUCHE GaAs AMORPHE QUE L'ON RECUIT. LE MODE DE CROISSANCE, QUI EST TRIDIMENSIONNEL DANS DES CONDITIONS STANDARD, TEND ALORS VERS UN MECANISME 2D ET L'ETUDE RHEED PERMET D'ETABLIR LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE DES PREMIERES COUCHES GaAs AINSI ELABOREES