Formation à basse température et nouvelles techniques de caractérisations [sic] du disiliciure de tungstène WSi2

Low temperature formation and new tools of characterization of tungsten disilicide wsi::(2)

• Auteur / Autrice : Mohammed Kadri
• Direction : Alain Deneuville
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Microélectronique
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble, Isère, France ; 1971-2015)

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Fabrication microelectronique

Circuit integre

Circuit vlsi

Metallisation

Interconnexion

Basse temperature

Implantation ion

Conductivite electrique

Absorption ir

Impurete

Microelectronic fabrication

Integrated circuit

Vlsi circuit

Metallizing

Interconnection

Low temperature

Ion implantation

Electrical conductivity

Infrared absorption

Impurity

Résumé

Le disiliciure wsi::(2) pour la metallisation d'un circuit vlsi (contacts et lignes d'interconnexion) est forme a une temperature aussi basse que possible en utilisant la structure ''sandwich'' a-si: h(150 a)/w(110 a)/a-si: h(540 a)/c-si implantee par des ions a faible courant et a temperature ambiante. La concentration residuelle d'oxygene dans les couches de w et de a-si:h et a leur interface a une influence decisive sur la formation et la resistivite de wsi::(2). Les plus faibles temperatures de formation de wsi::(2) atteintes sont les plus basses, 550**(o)c apres recuit, 350**(o)c apres implantation de w puis recuit. Les resistivites sont aussi plus faible. Interet et sensibilite de la spectroscopie ir dans la caracterisation des impuretes