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des thèses françaises
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Obtention et étude de couches minces de siliciures de métaux réfractaires
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Anne Bouteville |
| Direction : | J. C. REMY |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences physiques |
| Date : | Soutenance en 1987 |
| Etablissement(s) : | Angers |
Mots clés
FR
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Sciences des matériaux, rhéologie
Couche mince
Croissance cristalline
Etude expérimentale
Basse pression
Composé minéral
Métal transition composé
Matériau réfractaire
Dépôt chimique phase vapeur
Mécanisme croissance
Microélectronique
Tantale siliciure
Titane siliciure
Thin film
Crystal growth
Experimental study
Low pressure
Inorganic compound
Transition metal compounds
Refractory material
Chemical vapor deposition
Growth mechanism
Microelectronics
Tantalum silicides
Titanium silicides
Résumé
FR
Les couches minces de siliciures de métaux réfractaires sont utilisées en microélectronique. Le dépôt chimique en phase vapeur permet un excellent recouvrement de marche et la possibilité de dépôt sélectif. Cette étude traite de l'obtention par cette méthode à basse pression de couches minces de siliciures de TA et de TI et de leur étude. Mise au point du procédé, influence d'un traitement de recuit et étude du mécanisme de croissance.