Caractérisation et analyse de la gravure du polysilicium par le chlore avec le système plasma triode pour la réalisation de circuits à haut niveau d'intégration

Characterization and analysis of polysilicon etching by chlorine with a plasma triode system in order to realize circuits at high level of integration

• Auteur / Autrice : Claude Artufel
• Direction : Michel Bienfait
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1987
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 2
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université d'Aix-Marseille II. Faculté des sciences (1969-2011)

Résumé

Cette these porte sur l'analyse d'un systeme plasma triode pour la gravure du polysilicium par le chlore. Elle comprend 3 chapitres: le premier chapitre est une revue des differents procedes et des divers systemes de gravure par plasma dans la fabrication du semiconducteur. Dans le deuxieme chapitre, nous avons decrit le dispositif experimental. La caracterisation de la gravure du polysilicium par le chlore en fonction des parametres du reacteur plasma triode, nous a permis de determiner un procede. Par l'observation des differents profils de gravure avec le microscope electronique a balayage, nous avons pu evaluer les differentes contributions des parametres de, pression, puissances du reacteur, sur l'anisotropie de la decoupe du polysilicium. Une analyse par spectrometrie de masse nous a permis de determiner l'ordre de la reaction silicium-chlore, et la predominance des especes ioniques a faible pression sur la gravure du polysilicium. Dans le dernier chapitre, nous avons etudie les courants ioniques dans la chambre de gravure avec des sondes electrostatiques, et confirme le role preponderant que joue le generateur haute frequence applique entre l'electrode superieure et la paroi de la chambre pour la creation des especes ioniques. L'evaluation de la densite ionique faite au centre de la decharge classe le systeme triode dans la categorie des plasmas type planaire faiblement ionises