Influence des caractéristiques d'un réacteur PECVD sur les performances d'une structure mis élaborée sur phosphure d'indium

Influence of PECVD reactor characteristics on the performance of mis structure on insb

• Auteur / Autrice : Abdel-Menem Mohamed Elmahdy
• Direction : Jean Simonne
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Plasmas (gaz ionisés)

Semiconducteurs

Réacteurs chimiques

Résumé

Dans le but de controler la realisation d'une structure mis par cvd assistee par plasma, une analyse du profil du potentiel et de la distribution des particules dans la zone cathodique a ete effectuee. Le controle de l'energie des particules venant frapper la surface du semiconducteur est analyse a travers deux parametres: le coefficient d'emission d'electrons secondaires et le taux de recombinaison des elements charges. Ceci permet de proposer les meilleures conditions d'operation, qui sont experimentees dans les trois cas suivants pour ce qui concerne l'isolant: croissance d'un oxyde natif, depot d'un oxyde de silicium, combinaison de ces deux processus. La caracterisation des dispositifs montrent que les meilleurs resultats sont obtenus avec l'isolant bicouche, apres optimisation de l'oxyde natif, presentant une resistivite 10**(13) omega cm a +ou- 40 v et une densite d'etat d'interface de l'ordre de 10**(11) cm**(-2) ev**(-1). Une possible amelioration est suggeree par l'installation d'une grille entre anneau de garde et plateau porte-substrat