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Thèse soutenue

Etude et realisation de structures bipolaires particulieres a heterojonction gaas-gaaias : application aux circuits integres de type ecl

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Auteur / Autrice : Josiane Tasselli
Direction : Gérard Rey
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées
Date : Soutenance en 1986
Etablissement(s) : Toulouse 3

Résumé

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Ce memoire presente l'etude et la realisation d'un circuit integre bipolaire de type ecl sur arseniure de gallium. Une etude theorique de transistors bipolaires a double heterojonction a montre l'influence determinante de la jonction collecteur-base, notamment de sa gradualite, sur leur comportement electrique. Ces resultats ont pu etre confirmes par une analyse experimentale a partir de structures realisees par epitaxie en phase liquide. La simulation et l'optimisation d'un oscillateur en anneau a base de simples heterotransistors et mettant en oeuvre le logiciel astec iii, ont permis de calculer des temps de propagation par porte de 20 ps pour une puissance consommee de 4 mw; ceci confirme les potentialites de la filiere logique bipolaire sur asga. Enfin, un oscillateur en anneau a 3 portes ecl a ete concu et realise par les technologies d'epitaxie en phase liquide et d'attaques mesas, a partir d'un processus nouveau sur substrat semi-isolant. La faisabilite d'un circuit integre bipolaire asga a ainsi ete montree